用于制造半导体器件的方法
授权
摘要
本发明实施例提供一种用于缓解包括连续有源区的器件中的泄漏电流的方法和结构。在一些实施例中，通过改变光掩模逻辑操作(LOP)以在单元边界处反转阈值电压类型来增加单元边界处的阈值电压。可选地，在一些情况中，通过在单元边界处执行阈值电压注入(例如，离子注入)并且注入设置在单元边界处的伪栅极中来增加单元边界处的阈值电压。此外，在一些实施例中，通过在单元边界处使用硅锗(SiGe)沟道来增加单元边界处的阈值电压。在一些情况中，SiGe可以设置在衬底内的单元边界处和/或SiGe可以是设置在单元边界处的伪栅极的一部分。本发明实施例还提供另外两种用于制造半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
用于制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427897A
申请号 ：
CN201711284556.8
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2017-12-07
授权号 ：
CN109427897B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
范家声林俊言谢东衡杨宝如
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201711284556.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/423 H01L21/266
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171207
申请日 : 20171207
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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