用于制造半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：通过进行蚀刻工艺在衬底上形成多个栅线；通过采用原子层沉积(ALD)方法在栅线和衬底上形成氧化物层；以及在氧化物层上依次形成缓冲氧化物层和氮化物层。
基本信息
专利标题 ：
用于制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1877815A
申请号 ：
CN200510135168.4
公开（公告）日 ：
2006-12-13
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南基元李京远
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510135168.4
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/768 H01L21/316
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599311327
IPC(主分类) : H01L 21/822
专利号 : ZL2005101351684
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20131227
号牌文件序号 : 101599311327
IPC(主分类) : H01L 21/822
专利号 : ZL2005101351684
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20131227
2009-04-22 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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