半导体器件和制造半导体器件的方法
公开
摘要
本发明的公开涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底；沟道，该沟道定位在衬底的上方；和漂移区，该漂移区定位在沟道的上方。该半导体器件进一步包括定位在沟道和漂移区内的第一多晶硅，以及定位在第一多晶硅的上方且定位在漂移区内的第二多晶硅。第一多晶硅和第二多晶硅分别通过栅极氧化物和RESURF氧化物与沟道和漂移隔离。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582952A
申请号 ：
CN202111430661.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
基里安·翁本杰明·亨
申请人 ：
安世有限公司
申请人地址 ：
荷兰奈梅亨
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
张芸
优先权 ：
CN202111430661.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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