半导体器件的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
用自对准方法在一开口内形成半导体区域和金属接触区，通过一绝缘材料(15)把金属区与沿着多晶连接部分边缘的开口相隔开，所形成的防护层保持在开口内，直到从多晶硅半导体材料的均匀层中，以各向导性刻蚀法形成所述的连接部分。该方法适用于双极型晶体管和场效应晶体管的制造。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103578A
申请号 ：
CN85103578.7
公开（公告）日 ：
1986-11-05
申请日 ：
1985-05-08
授权号 ：
CN85103578B
授权日 ：
1988-08-10
发明人 ：
阿佩尔斯马斯
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴秉芬
优先权 ：
CN85103578.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/31 H01L23/52 H01L21/90
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
1997-06-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-07-05 ：
授权
1988-08-10 ：
审定
1987-02-18 ：
实质审查请求
1986-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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