半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要

本发明提高了半导体器件的可靠性。该半导体器件包括封装衬底、半导体芯片、导线、芯片键合膜、多个焊接凸点和密封体,其中封装衬底具有干型抗蚀剂膜,其覆盖了形成在主表面和背表面上的多个导体部分中的一些导体部分且由膜形成;半导体芯片安装在封装衬底上方;导线电连接半导体芯片和封装衬底;芯片键合膜布置在封装衬底的主表面和半导体芯片之间;多个焊接凸点形成在封装衬底的背表面上;以及密封体由树脂制成。通过在封装衬底的主表面和背表面上形成由膜制成的干型抗蚀剂膜,可以抑制封装衬底的翘曲,并因此可以防止在回流安装时出现封装裂缝,从而提高半导体器件的可靠性。

基本信息
专利标题 :
半导体器件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1835222A
申请号 :
CN200610058677.6
公开(公告)日 :
2006-09-20
申请日 :
2006-03-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
岛贯好彦
申请人 :
株式会社瑞萨科技
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
王茂华
优先权 :
CN200610058677.6
主分类号 :
H01L23/498
IPC分类号 :
H01L23/498  H01L21/56  H01L21/58  H01L21/60  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-02-22 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20210308
2017-12-19 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/498
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
2010-10-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101033588060
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2006100586776
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川县
登记生效日 : 20100907
2009-12-09 :
授权
2008-05-14 :
实质审查的生效
2006-09-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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