功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
公开了一种功率半导体器件元胞结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的第一外延层和第二外延层；位于第一外延层中的第一半导体柱；位于第二外延层中的多个连接区；位于第二外延层表面两侧的体区，且与连接区的上表面接触；位于体区内的源区以及欧姆接触区；位于第二外延层上的栅极结构；连接区位于第一半导体柱上方两侧，沿第一方向横向延伸，并沿第二方向不连续分布，第二外延层围绕每个连接区以使每个连接区分离，第一方向与第二方向垂直，并且第一方向、第二方向均与半导体器件的纵向方向垂直。本申请在第一外延层中设置第一半导体柱，在第一半导体柱表面上方两侧设置连接区，有效地抑制了器件通流区域的双极退化问题，且提高栅氧可靠性。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497184A
申请号 ：
CN202111591940.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邹华张邵华姚国亮刘建平吴建兴
申请人 ：
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳丹丹
优先权 ：
CN202111591940.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/786 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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