半导体器件的元胞结构及半导体器件

授权

摘要

本申请是一种半导体器件的元胞结构，所述元胞结构包括半导体衬底及其上方的外延层。外延层顶端设置多数个槽单元，槽单元底设置对应的载流子势垒区，槽内设置导电材料。源体区设置于相邻槽单元之间，源体区表面紧贴设置有一个以上的源区，其与源体区接触半导体衬底顶部的第一金属层。衬底与外延层之间，槽单元两侧下方设置有浮空区，通过半导体延伸接触外延层顶端的第二金属层。半导体衬底底部则设置第一半导体区及其接触的第三金属层。本申请通过减化槽设置数量与接地结构形成屏蔽区的设计，在保持功能的同时达到导通或空穴路径设计限定的要求。

基本信息

专利标题：

半导体器件的元胞结构及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922432209.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-30

授权号：

CN211480039U

授权日：

2020-09-11

发明人：

杜文芳

申请人：

南京芯舟科技有限公司

申请人地址：

江苏省南京市浦口区江浦街道浦口大道1号新城总部大厦506-1室

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：

亓赢

优先权：

CN201922432209.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L29/36