半导体结构与半导体器件

授权

摘要

本申请公开了一种半导体结构与半导体器件，该半导体结构包括：半导体衬底；外延层，为第一掺杂类型，位于半导体衬底的第一表面上；阱区，为第二掺杂类型，位于外延层上，阱区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；掺杂区，为第一掺杂类型，自阱区延伸至外延层中，从而在阱区中限定出至少一个阱区岛；以及隔离层，至少部分位于阱区与掺杂区之间，用于分隔阱区与掺杂区，其中，掺杂区接收控制电压，当控制电压满足预定范围时，每个阱区岛中形成与阱区反型的沟道区，沟道区靠近隔离层且与外延层接触。从而将之前决定PN结击穿电压的因素——外延层浓度，变成了阱区浓度，进而改变了PN结的击穿电压。

基本信息

专利标题：

半导体结构与半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920400369.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-03-27

授权号：

CN209963062U

授权日：

2020-01-17

发明人：

周源张小麟李静怡王超张志文朱林迪牛玉玮郭艳华

申请人：

北京燕东微电子科技有限公司

申请人地址：

北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号1幢4层4D15

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司

代理人：

蔡纯

优先权：

CN201920400369.X

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/18