半导体器件结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括半导体基板以及设置在所述半导体基板上的双钝化层，其中，所述半导体基板包括一基底以及设置在所述基板上的金属阵列；所述双钝化层包括设置在所述金属阵列之间，所述双钝化层包括依次设置在所述半导体基板上的第一钝化层和第二钝化层，且未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。所提供的半导体器件的双钝化层结构的钝化保护效果优异，使所述半导体器件的双钝化层结构的适用性更广泛，使用更灵活。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020412036.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-26
授权号 ：
CN211788995U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
方绍明李照华戴文芳
申请人 ：
深圳市明微电子股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道015号国微研发大厦三层
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄志云
优先权 ：
CN202020412036.1
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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