半导体器件结构
授权
摘要
本实用新型题为“半导体器件结构”。半导体器件结构包括具有有源区域和终端区域的半导体材料区域。有源结构设置在所述有源区域中，并且终端结构设置在所述终端区域中。在一个实施方案中，所述终端结构包括终端沟槽和在所述终端沟槽内的导电结构，并且通过电介质结构与所述半导体材料区域电隔离。电介质层设置成与所述终端沟槽重叠，以提供所述终端结构作为浮动结构。肖特基接触区域设置在所述有源区域内。导电层电连接到所述肖特基接触区域，并且所述第一导电层延伸到所述电介质层的表面上并与所述终端沟槽的至少一部分横向重叠。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020032116.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-24
授权号 ：
CN211045446U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
穆罕默德·T·库杜斯M·马德浩克卡
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
马芬
优先权 ：
CN202020032116.4
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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