半导体器件、半导体结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种半导体器件、半导体结构及其制造方法，其中，半导体器件包括：支撑柱；半导体层，环绕所述支撑柱的外表面的至少一部分，且所述半导体层沿第一方向具有相对设置的第一端和第二端；第一电极，所述第一电极与所述半导体层的第一端连接，并向远离所述半导体层的方向延伸；第二电极，与所述半导体层的第二端连接，并向远离所述半导体层的方向延伸；栅极，包围所述半导体层的至少一部分，并与所述半导体层绝缘；其中，所述第一方向为所述支撑柱的轴线方向，所述半导体层、第一电极和第二电极的材料包括二维材料。该半导体器件具有较小的接触电阻。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361163A
申请号 ：
CN202210023466.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭帅
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202210023466.8
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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