半导体器件结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体器件结构，包括：衬底；半导体层，形成于所述衬底的一侧；钝化层，形成于所述半导体层远离所述衬底的一侧；电极，形成于所述半导体层远离所述衬底的一侧，所述电极包括源极、栅极和漏极；所述栅极包括形成于所述钝化层内的阶梯型栅极结构；所述阶梯型栅极结构包括至少两层由下至上依次排布的栅极金属层，且相邻的两层栅极金属层中的上一层栅极金属层临近漏极的边缘在所述半导体层的上表面的正投影，位于下一层栅极金属层临近漏极的边缘在所述半导体层的上表面的正投影与漏极之间。本申请有效地减小了栅边缘的电场，避免栅边缘产生电场集中的现象，同时避免表面态捕获电子导致电阻增加，提高了器件的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021790976.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-25
授权号 ：
CN211700292U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
邓光敏
申请人 ：
苏州捷芯威半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区2幢311-B室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
杨明莉
优先权 ：
CN202021790976.0
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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