半导体器件结构
授权
摘要
本发明提供一种半导体器件结构，包括：同一衬底上设置多个P型元件与多个N型元件，所述P型元件和所述N型元件具有不同的栅极间距。本发明通过将同一衬底的P型元件和N型元件设置成不同的栅极间距，以使所述P型元件和所述N型元件栅极两侧的嵌入式外延层的尺寸可调，实现P型元件和N型元件的效能的单独调整，进而实现针对器件不同区域单独调整相应元件特性的功能，提高器件的整体性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114171589A
申请号 ：
CN202210126953.7
公开（公告）日 ：
2022-03-11
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
CN114171589B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
陈维邦郑志成林智伟
申请人 ：
晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210126953.7
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L27/088
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2022-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20220211
申请日 : 20220211
2022-03-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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