具有高压器件的半导体器件结构
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摘要
提供了一种高压半导体器件结构。高压半导体器件结构包括半导体衬底，半导体衬底中的源极环和半导体衬底中的漏极区域。高压半导体器件结构还包括围绕源极环的侧面和底部的掺杂环以及围绕漏极区域和掺杂环的侧面和底部的阱区。阱区的导电类型与掺杂环的导电类型相反。高压半导体器件结构还包括导体，该导体电连接到漏极区域并且在阱区的外围上方并且横穿阱区的外围延伸。另外，高压半导体器件结构包括在导体和半导体衬底之间的屏蔽元件环。屏蔽元件环在阱区的外围上方延伸并横穿阱区的外围。本发明实施例涉及具有高压器件的半导体器件结构。
基本信息
专利标题 ：
具有高压器件的半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110010672A
申请号 ：
CN201811416706.0
公开（公告）日 ：
2019-07-12
申请日 ：
2018-11-26
授权号 ：
CN110010672B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
林宏洲邱奕正卡思克·穆鲁克什陈益民林炫政江文智张震谦詹智元吴国铭蔡俊琳
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201811416706.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/40 H01L29/78
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法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-08-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20181126
申请日 : 20181126
2019-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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