半导体器件结构
授权
摘要
本公开提供一种半导体器件结构，包括：导电区域；介质层，形成于所述导电区域上；金属结构，形成于所述介质层上；欧姆接触结构，形成于所述介质层中，第一表面连接所述导电区域，第二表面连接所述金属结构，所述第二表面在第一方向的长度小于所述第一表面在第一方向的长度，所述第一方向为所述欧姆接触结构的所述第二表面与同层相邻欧姆接触结构的第二表面的最短间距连线方向。本公开实施例可以同时具有较低的欧姆接触电阻和较大的同层相邻金属结构间距，有效防止导电区域内或导电区域间的金属结构短路。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921320372.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-14
授权号 ：
CN210110777U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
穆克军
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201921320372.7
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/45 H01L21/28
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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