半导体结构及器件
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体结构及器件，半导体结构包括：衬底、成核层、多个间隔排布的沟道及外延层；成核层形成于衬底上并覆盖衬底的上表面，为含Al氮化物层，晶向为(0001)晶向；沟道贯穿成核层且底部位于衬底中，将成核层划分为多个间隔排布的成核层平台；外延层为含Al氮化物层，形成于成核层平台上并覆盖成核层平台的上表面及沟道的开口。本实用新型通过沟道及成核层的结构，减少外延层在沟道上成核的几率，且进一步的通过成核层及外延层的材质的选择，增加外延层在成核层平台上成核的几率，以进一步的增大外延层在成核层平台及沟道上成核的几率差，制备具有良好的平整性及完整性的外延层。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921488966.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-06
授权号 ：
CN210378970U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
郝茂盛胡建正袁根如马艳红张楠陈朋
申请人 ：
上海芯元基半导体科技有限公司;中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201921488966.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/3065 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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