半导体结构及半导体器件
授权
摘要
本公开提供一种半导体结构及半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括半导体衬底、预设半导体层、栅介质层和栅极层，其中：半导体衬底，包括间隔设置的隔离结构及位于相邻两个隔离结构之间的第一有源区，第一有源区具有预设外延区；预设半导体层，形成于预设外延区，预设半导体层的电子亲和能大于半导体衬底的电子亲和能；栅介质层，形成于预设半导体层和半导体衬底共同构成的表面；栅极层，形成于栅介质层的表面。本公开的半导体结构及半导体器件可减小栅极层厚度，提高栅极层的栅极控制能力，减小短沟道效应，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922132556.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210926017U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
白杰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201922132556.7
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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