半导体器件
授权
摘要
提供了半导体器件，其包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021369729.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-13
授权号 ：
CN212412061U
授权日 ：
2021-01-26
发明人 ：
申洪湜卢炫准朴兴植成石铉李道行李元赫
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张波
优先权 ：
CN202021369729.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/088 H01L21/336 H01L21/8234
法律状态
2021-01-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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