半导体器件
公开
摘要
一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区以及在其间的场区；分别提供在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别提供在第一有源图案和第二有源图案上的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；在第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案和在第二源极/漏极图案之间的第二沟道图案；以及栅电极，从第一沟道图案延伸到第二沟道图案以跨越场区。第一沟道图案和第二沟道图案中的每个可以包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案。在场区上的栅电极的下部的宽度可以随着与衬底的顶表面的距离减小而减小。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551444A
申请号 ：
CN202111392644.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
申在训徐凤锡金大元朴硕炯刘庭均李在润
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张波
优先权 ：
CN202111392644.6
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L23/522 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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