增强－耗尽型半导体结构及其制造方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

公开了一种ED－HEMT结构，其包括：包括掺杂层(18)的缓冲层(4)、沟道层(6)、势垒层(8)、和第二掺杂层(20)。在贯穿第二掺杂层(20)的通道中形成增强型HEMT栅极(12)，并且在第二掺杂层(20)之上形成耗尽型HEMT结构。这种层顺序允许在同一个结构中形成具有良好特性的增强和耗尽型HEMT。

基本信息

专利标题：

增强－耗尽型半导体结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101095233A

申请号：

CN200580045715.8

公开（公告）日：

2007-12-26

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

H·马赫尔P·M·M·鲍德特

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

李亚非

优先权：

CN200580045715.8

主分类号：

H01L27/06

IPC分类号：

H01L27/06 H01L27/088

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/06

在非重复结构中包括有多个单个组件的

法律状态

2010-03-10 ：

发明专利申请公布后的视为撤回

2008-07-16 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : 奥米克有限责任公司
变更事项 : 地址
变更后权利人 : 法国利梅伊-布雷瓦讷
登记生效日 : 20080613

2008-02-27 ：

实质审查的生效

2007-12-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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