半导体结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体衬底，具有源/漏区以及栅极区；第一介质层，形成于半导体衬底上；MIM电容器，形成于第一介质层内，并与源/漏区或栅极区连接。本实施例在形成接触插塞过程中，同时一并形成MIM电容器，简化了MIM电容器的制造工艺，节约了成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464593A
申请号 ：
CN202011142249.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳圣浩李俊杰周娜
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011142249.8
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528 H01L21/768 H01L27/108 H01L27/11 H01L27/115 H01L27/22 H01L27/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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