半导体结构及半导体结构的制造方法
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摘要
本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底，衬底中形成有电容结构，电容结构包括下极板、介质层、上极板以及保护层，下极板位于衬底上；介质层覆盖在下极板的表面；上极板覆盖介质层；保护层形成在上极板平行于衬底的表面。通过在上极板的上表面形成的保护层能够改善电容结构的电阻性能，以此改善半导体结构的使用性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112909169A
申请号 ：
CN202110117220.2
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2021-01-28
授权号 ：
CN112909169B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
吴宏旻丁裕生
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
李建忠
优先权 ：
CN202110117220.2
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02
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法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-06-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20210128
申请日 : 20210128
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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