半导体结构的制造方法
公开
摘要
一种半导体装置的制造方法，包括提供一种结构，此结构具有一基底和在前述基底上方的一通道层；在前述通道层上方形成一高介电常数栅极介质层；在前述高介电常数栅极介质层上形成一功函数金属层；在前述功函数金属层上形成一硅化物层；对此结构进行退火，使得与前述高介电常数栅极介电层相接的前述功函数金属层的第一部分可掺杂有来自前述硅化物层的硅元素；去除前述硅化物层；以及在前述功函数金属层的上方形成一块体金属层。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512443A
申请号 ：
CN202210005216.1
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董彦佃黄思维萧智仁庄媖涓黄咏骞刘冠廷沈泽民吴忠纬吴志强
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202210005216.1
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/8238 H01L29/423 H01L29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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