半导体结构及制造半导体结构的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种使不同类型的器件被制作在混合衬底的提高各类型器件性能的特定晶向上的集成半导体器件的方法。具体地说，本发明提供了一种使pFET位于平坦混合衬底的(110)晶面上而nFET位于(100)晶面上的集成半导体器件的方法。本发明的方法还改善了用埋置绝缘体和反掺杂层的组合产生的类SOI器件的性能。本发明还涉及到利用本发明的方法形成的半导体结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及制造半导体结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828908A
申请号 ：
CN200610002467.5
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨美基杨敏
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200610002467.5
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84
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法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101423718265
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100024675
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20080813
终止日期 : 20120126
号牌文件序号 : 101423718265
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100024675
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20080813
终止日期 : 20120126
2008-08-13 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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