半导体结构及半导体结构的制造方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法,涉及显示技术领域,该半导体结构包括基底,所述基底包括阵列区以及围绕所述阵列区的周边电路区,所述阵列区内设有阵列排布的多个电容器,本发明通过使位于所述阵列区的边缘的数个所述电容器中,任意连续相邻的三个所述电容器的中心连线构成的一个虚拟角大于90°,避免位于阵列区的边缘上的数个电容器中任意相邻的三个电容器的中心连线形成直角,即,避免位于阵列区的边缘上的数个电容器形成矩形图案,这样可以降低位于阵列区的边缘上的数个电容器所受的应力,进而降低了位于阵列区的边缘上的数个电容器的损坏几率,提高了半导体结构的存储性能。

基本信息
专利标题 :
半导体结构及半导体结构的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446957A
申请号 :
CN202011223554.X
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-11-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴锋朴相烈
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
孟秀娟
优先权 :
CN202011223554.X
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108  H01L21/8242  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20201105
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332