半导体结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其中，所述半导体结构的制造方法包括：提供第一晶圆；所述第一晶圆具有相对设置的第一面和第二面，所述第一面上设置有若干沿第一方向和第二方向呈阵列排布的晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第三方向呈对称分布的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管均沿第三方向延伸；所述第一方向和第二方向均与所述第一面平行，所述第三方向垂直于所述第一面；在沿第二方向相邻的两排晶体管单元之间形成牺牲结构；所述牺牲结构沿第一方向延伸；从所述第二面去除所述牺牲结构形成第一空腔。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530420A
申请号 ：
CN202210432943.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-04-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
华文宇张帜陈鑫蓝天
申请人 ：
芯盟科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡亮
优先权 ：
CN202210432943.6
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20220424
申请日 : 20220424
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
