半导体结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底；器件结构，覆盖部分衬底的顶面；侧墙，覆盖器件结构的侧壁，侧墙包括至少一层层叠结构；保护层，覆盖器件结构顶面和衬底暴露出来的顶面；其中，每层层叠结构包括第一绝缘层和第二绝缘层；第一绝缘层和衬底之间的距离与第二绝缘层和衬底之间的距离不同。本公开的技术方案，在防止衬底的表面形成凹口的同时，还能够保证器件结构的完整性，提高半导体结构的质量和性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361164A
申请号 ：
CN202210030238.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈宇桐汤继峰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱影
优先权 ：
CN202210030238.3
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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