半导体结构及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成包括交替层叠的牺牲层及支撑层的叠层结构；在所述叠层结构内形成电容孔；在所述电容孔的侧壁及底部形成第一电极层；在所述第一电极层的内表面形成第一介质层；在所述叠层结构上形成开口，所述开口暴露出所述牺牲层，并利用所述开口去除所述牺牲层；在所述第一介质层的内表面及所述第一电极层的外表面形成第二介质层；在所述第二介质层的内表面和外表面形成第二电极层。通过额外引入第一介质层，以补偿第一电极层内外两侧的第二介质层的厚度差异引起的漏电流不等的影响，极大提高了半导体结构的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113053898A
申请号 ：
CN202110267178.2
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2021-03-12
授权号 ：
CN113053898B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202110267178.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210312
申请日 : 20210312
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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