半导体结构的制造方法及半导体结构

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摘要

本发明提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底中形成有有源区和隔离区；在有源区内形成沟槽，沟槽包括位于上部的第一沟槽以及位于下部且与第一沟槽连通的第二沟槽，第一沟槽的宽度大于第二沟槽的宽度；在第一沟槽和第二沟槽内形成栅极结构。本发明通过第一沟槽的宽度大于第二沟槽的宽度，使得沟槽的形状为倒置的凸字型，即，沟槽的侧壁包括顺次连接的第一段、第二段以及第三段，第二段与第一段相互垂直，相对于沟槽的形状为U型而言，在不增加沟道深度的前提下，能够增加沟槽侧壁的长度，改善了短沟道效应所引起的阈值电压降低的缺陷，提高了半导体结构的存储性能。

基本信息

专利标题：

半导体结构的制造方法及半导体结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112864155A

申请号：

CN202110004446.1

公开（公告）日：

2021-05-28

申请日：

2021-01-04

授权号：

CN112864155B

授权日：

2022-05-03

发明人：

宛伟王盼王学生

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

孟秀娟

优先权：

CN202110004446.1

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108