半导体结构的制造方法及半导体结构
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，制造方法包括：提供基底，在所述基底上形成依次层叠的第一隔离层、第一稳定层、第二隔离层及第二稳定层；形成贯穿所述第一隔离层、所述第一稳定层、所述第二隔离层及所述第二稳定层的通孔，在所述通孔的侧壁及底部形成下电极；去除部分厚度的所述第二稳定层，露出部分所述下电极；在露出的所述下电极侧壁形成掩膜层，且相邻所述下电极侧壁的所述掩膜层相抵接；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二稳定层，形成第一开口。本发明实施例能够简化生产工艺，提高电容的质量。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制造方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520195A
申请号 ：
CN202011305915.5
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202011305915.5
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
