半导体结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，包括排列成阵列的多个有源图案以及包围所述多个有源图案的周围图案。至少一个分支图案连接在周围图案的内侧边缘上。分支图案与有源图案具有相同的延伸方向，且周围图案的端部与紧邻的有源图案的端部切齐。分支图案可使有源图案阵列与周围图案之间具有较均匀的图案密度，帮助绝缘层较容易完全填充有源图案和周围图案之间的间隙。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530450A
申请号 ：
CN202210146991.9
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许耀光蔡建成郑俊义吴建山贾世元周芷伊
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈超德
优先权 ：
CN202210146991.9
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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