半导体结构的制造方法和半导体结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该半导体结构的制造方法，包括：提供基底，基底具有相邻设置的第一区域和第二区域；在基底的第一区域和第二区域中均形成多个沟槽，多个沟槽沿第一方向间隔排布。在沟槽中形成字线，第一区域的字线的特征尺寸不同于第二区域中的字线的特征尺寸。在特征尺寸较大的字线上形成接触结构。本发明能够减小接触结构的设置难度，减小接触结构与字线连接处的接触电阻，保证两者连接的稳定性，提升半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制造方法和半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520194A
申请号 ：
CN202011301297.7
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
王欢
优先权 ：
CN202011301297.7
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
