本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底；第一电极，第一电极位于基底上，第一电极围成朝向远离基底方向延伸的通孔；第二电极，第二电极至少位于通孔内；电容介质层，电容介质层位于第一电极与第二电极之间，第二电极、电容介质层以及第一电极构成电容结构；晶体管，晶体管位于电容结构上，且晶体管包括沿垂直于基底表面方向间隔排布的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区与第二电极电连接，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型为N型或者P型中的一者，且第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型相同；位线，位线位于晶体管上，且与第二掺杂区电连接。本公开实施例至少有利于提高半导体器件的性能并降低制造工艺难度。