半导体结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明将字线凹槽填充材料层中的功函数层尤其是功函数层第二部分的高度显著增加，第一栅极材料层的高度显著降低，使所述功函数层第二部分、第一栅极材料层与第二栅极材料层三者的高度之比维持在3‑8：1‑1.5：1可以保证窄的字线宽度凹入栅极结构的字线凹槽填充材料层的功函数会明显变大，大大消弱字线凹槽底部的行锤效应，且字线凹槽上部的栅致漏极泄漏效应明显降低。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497042A
申请号 ：
CN202011265365.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张竞存
优先权 ：
CN202011265365.9
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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