半导体结构及其制造方法

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摘要

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：管芯堆叠结构，包括堆叠的多个核心管芯，每个所述核心管芯包括多个通道，所述多个通道中的每一个包括存储单元阵列，所述多个核心管芯之间以混合键合的方式键合；逻辑管芯，位于所述管芯堆叠结构下方；以及接触区，所述接触区贯穿所述管芯堆叠结构，并到达所述逻辑管芯。根据本发明的半导体结构及其制造方法，可以节省管芯面积，提高存储单元密度的同时，还提高了数据传输和处理的速度，同时降低了工艺复杂度和生产成本。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111863784A

申请号：

CN202010751364.9

公开（公告）日：

2020-10-30

申请日：

2020-07-30

授权号：

CN111863784B

授权日：

2022-05-27

发明人：

刘峻

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

杜娟

优先权：

CN202010751364.9

主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H01L25/07 H01L25/00 H01L21/18 H01L27/108