半导体封装结构及其制造方法

实质审查的生效

摘要

本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法，其半导体封装结构包括叠设的一第一堆叠结构及一第二堆叠结构；第一堆叠结构包括一第一介电层、一第一功率晶片、第一导电连接元件、第一导电柱及一第一图案化导电层；第二堆叠结构包括一第二介电层、一第二功率晶片、第二导电连接元件、第二导电柱、一第二图案化导电层及一第三图案化导电层；通过将第一功率晶片及第二功率晶片以上下层堆叠的方式设置，以提供一第一功率晶片及第二功率晶片二者可通过线路结构来直接电性连接且能革除导线架相关弊端的半导体封装结构；另外，本发明亦提供一种半导体封装结构的制造方法。

基本信息

专利标题：

半导体封装结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114551395A

申请号：

CN202111367586.1

公开（公告）日：

2022-05-27

申请日：

2021-11-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

许哲玮

申请人：

恒劲科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹县湖口乡新兴路458之17号

代理机构：

北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

张伟

优先权：

CN202111367586.1

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L23/528 H01L25/07 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

法律状态

2022-06-14 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20211118

2022-05-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载