半导体封装结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供的半导体封装结构及其制造方法，利用有机材盖体搭配金属屏蔽层的设计，相较于金属盖体，可以有效降低盖体的密度与体积，有利于产品结构微小化。另外，利用阻挡层包覆第一电子组件，可以阻挡第一电子组件发射至基板的超音波反射至第一电子组件，进而可以避免第一电子组件接收信号的干扰。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420675A
申请号 ：
CN202210032182.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄煜哲赖律名
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 ：
北京植德律师事务所
代理人 ：
唐华东
优先权 ：
CN202210032182.5
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/18 H01L23/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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