半导体元件封装结构及其制造方法
公开
摘要
本发明公开一种半导体元件封装结构及其制造方法。在制造方法中，提供晶圆，其定义出多个半导体元件以及相互交错的多个切割区。每一半导体元件包括设置在主动面上的至少一接垫。将晶圆设置在暂时性黏着层上，并沿着多个切割区切割晶圆，以形成多个彼此分离的半导体元件。扩张多个半导体元件之间的间距，将扩张后的多个半导体元件全部设置在承载板上。形成模封材料覆盖多个半导体元件，以形成初始封装体。模封材料填入多个半导体元件之间，以连接多个半导体元件。分离初始封装体与承载板以及对初始封装体执行切割步骤，以形成多个半导体元件封装结构。通过上述方法可降低制造成本以及缩减封装体积。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597170A
申请号 ：
CN202111383744.2
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴声欣
申请人 ：
芯沣科技有限公司
申请人地址 ：
中国台湾苗栗县
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘曾
优先权 ：
CN202111383744.2
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/762 H01L21/56 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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