封装结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括第一芯片、第二芯片、介电体、导电端子、线路层以及图案化绝缘层。第二芯片配置于第一芯片上。第二芯片的第二主动面面向第一芯片的第一主动面。介电体覆盖第一芯片。导电端子位于介电体上且相对于第二芯片。线路层包括第一线路部分以及第二线路部分。第一线路部分贯穿介电体。第一芯片经由第一线路部分电性连接于导电端子。第二线路部分嵌入介电体。第二芯片经由第二线路部分电性连接于第一芯片。图案化绝缘层覆盖线路层且嵌入介电体。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520205A
申请号 ：
CN202011527139.3
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张简上煜林南君徐宏欣
申请人 ：
力成科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202011527139.3
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L23/498 H01L25/18 H01L21/48 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/485
申请日 : 20201222
申请日 : 20201222
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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