封装结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
一种封装结构及其制造方法，包括芯片、重布线路结构、成型模料结构以及电磁干扰遮蔽结构。所述重布线路结构设置在所述芯片上并形成电性连接。所述成型模料结构环绕所述芯片以及所述重布线路结构的外围设置。所述电磁干扰遮蔽结构环绕所述成型模料结构的外围设置。通过所述成型模料结构环绕所述芯片以及所述重布线路结构的外围设置，以提供对结构的多面保护及强化。通过所述电磁干扰遮蔽结构环绕所述成型模料结构的外围设置，以提供对所述芯片以及所述重布线路结构的多面电磁干扰防护。借此达到提升结构强度以及使用可靠性、稳定性的目的。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334912A
申请号 ：
CN202011047601.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨凯铭彭家瑜刘汉诚
申请人 ：
欣兴电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市
代理机构 ：
北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周华宁
优先权 ：
CN202011047601.X
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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