封装结构及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种封装结构及其制造方法，所述种封装结构包括导电件、多个芯片、介电体、线路层以及图案化绝缘层。多个芯片配置于导电件上。部分的导电件围绕多个芯片。介电体包覆多个芯片。线路层位于介电体上。线路层电连接多个芯片。图案化绝缘层覆盖线路层。部分的图案化绝缘层位于相邻的多个芯片之间。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566487A
申请号 ：
CN202110078416.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张简上煜林南君徐宏欣
申请人 ：
力成科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202110078416.5
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L21/56 H01L21/60 H01L23/482 H01L23/485
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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