芯片封装结构及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种芯片封装结构，其包括第一芯片、第二芯片、第一模封体、多个第一穿模导孔、多个第二穿模导孔以及第一线路层。第二芯片堆叠于第一芯片上。第一模封体覆盖第一芯片及第二芯片。第一穿模导孔位于第一模封体内且电性连接于第一芯片。第二穿模导孔位于第一模封体内且电性连接于第二芯片。第一线路层于第一模封体上且电性连接于第一穿模导孔及第二穿模导孔。多个第一穿模导孔之间具有第一间距。多个第二穿模导孔之间具有第二间距。第一间距大于第二间距。一种芯片封装结构的制造方法亦被提供。
基本信息
专利标题 ：
芯片封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111834325A
申请号 ：
CN201910514572.4
公开（公告）日 ：
2020-10-27
申请日 ：
2019-06-14
授权号 ：
CN111834325B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
张简上煜徐宏欣林南君
申请人 ：
力成科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗英
优先权 ：
CN201910514572.4
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-11-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20190614
申请日 : 20190614
2020-10-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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