芯片封装体的制造方法
授权
摘要
本发明关于一种芯片封装体的制造方法包含以下操作。提供晶圆，其具有相对的第一表面和第二表面，且包含多个导电凸块位于第一表面上。由第二表面朝第一表面薄化晶圆。切割晶圆以形成多个芯片，其中各芯片具有第三表面及与其相对的第四表面，且包含导电凸块位于第三表面上。将这些芯片设置于基板上，使得导电凸块位于基板与第一表面之间，其中任两相邻的芯片之间具有间隙，此间隙为50至140微米。形成绝缘层填充这些间隙并覆盖这些芯片。沿着各间隙切割绝缘层，以形成多个芯片封装体。上述方法可以避免产生对位偏移的问题。
基本信息
专利标题 ：
芯片封装体的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111199906A
申请号 ：
CN201811366789.7
公开（公告）日 ：
2020-05-26
申请日 ：
2018-11-16
授权号 ：
CN111199906B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
赖建志林泓彣
申请人 ：
典琦科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市莺歌区建国路586号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN201811366789.7
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-06-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20181116
申请日 : 20181116
2020-05-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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