芯片封装体的制造方法
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摘要
本发明是关于一种芯片封装体的制造方法。提供晶圆，此晶圆具有上表面及与其相对的下表面，且包含多个导电垫位于上表面。切割晶圆的上表面以形成多个凹槽。形成图案化光阻层于上表面上及凹槽内。形成多个导电凸块分别位于对应的导电垫上。由下表面朝上表面薄化晶圆，使凹槽内的图案化光阻层由下表面暴露出来。形成绝缘层于下表面下方。沿着各凹槽切割图案化光阻层和绝缘层，以形成多个芯片封装体。上述方法可以避免产生对位偏移的问题。
基本信息
专利标题 ：
芯片封装体的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110970362A
申请号 ：
CN201811139024.X
公开（公告）日 ：
2020-04-07
申请日 ：
2018-09-28
授权号 ：
CN110970362B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
赖建志林泓彣
申请人 ：
典琦科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市莺歌区建国路586号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN201811139024.X
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/60 H01L21/304 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20180928
申请日 : 20180928
2020-04-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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