功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装...
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块，在所述功率芯片单元和功率封装模块的制造方法中，在衬底上以“化整为零”方式形成若干功率芯片单元，然后将若干功率芯片单元以“化零为整”方式封装组合成功率封装模块。“化整为零”形成的小尺寸并带有保护环的功率芯片单元的良率较高，进而提高了功率芯片单元组合成的功率封装模块的产品良率，并降低了生产成本。同时，组合成的功率封装模块，可按照功能需求用不同尺寸规格和数量的功率芯片单元进行集成封装，得到多种大电流、电压规格的大功率封装模块，避免了不同规格的功率芯片和模块的特定制造和封装需求，改进了功率芯片、功率模块的制造效率和成本。
基本信息
专利标题 ：
功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267636A
申请号 ：
CN202110616300.2
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-06-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
季明华张汝京
申请人 ：
青岛昇瑞光电科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区山王河路1088号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202110616300.2
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/52 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20210602
申请日 : 20210602
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
