接合体、功率模块用基板、功率模块、接合体的制造方法及功率...
授权
摘要
本发明的接合体为由陶瓷构成的陶瓷部件与由Cu或Cu合金构成的Cu部件的接合体，在形成于陶瓷部件与Cu部件之间的接合层中，从陶瓷部件的接合面朝向Cu部件侧距离50μm的区域中的Cu3P相的面积率为15％以下。
基本信息
专利标题 ：
接合体、功率模块用基板、功率模块、接合体的制造方法及功率模块用基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108701659A
申请号 ：
CN201780015338.6
公开（公告）日 ：
2018-10-23
申请日 ：
2017-01-20
授权号 ：
CN108701659B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
寺崎伸幸长友义幸
申请人 ：
三菱综合材料株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
朴圣洁
优先权 ：
CN201780015338.6
主分类号 ：
H01L23/13
IPC分类号 ：
H01L23/13 H01L23/14 H01L23/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/13
按形状特点进行区分的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2018-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/13
申请日 : 20170120
申请日 : 20170120
2018-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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