功率模块的封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种功率模块的封装结构，包括：直接铜键合DCB衬底，直接铜键合DCB衬底具有第一侧边且包括多个基岛；分别设置在多个基岛上的多个功率器件；以及靠近第一侧边的多个引脚；其中，至少部分多个引脚焊接在直接铜键合DCB衬底上。
基本信息
专利标题 ：
功率模块的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021707905.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
CN212991094U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
陈颜吴美飞
申请人 ：
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
骆希聪
优先权 ：
CN202021707905.X
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/495 H01L23/492 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
