一种IGBT功率模块封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及电力电子技术领域，尤其是一种IGBT功率模块封装结构，包括铜底板、外壳、主电极和栅极端子，外壳安装在铜底板上，铜底板上设有覆铜陶瓷基板，主电极焊接在覆铜陶瓷基板上，主电极为叠层母排，覆铜陶瓷基板的周边设有绝缘基板图形面，铜底板上设有与绝缘基板图形面连通的小型绝缘基板，栅极端子焊接于小型绝缘基板上，栅极端子的顶部穿出外壳，本实用新型可以解决传统的IGBT封装结构会导致模块内部杂散电感较大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT功率模块封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921470396.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-05
授权号 ：
CN210156368U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
纪伟张若鸿王晓宝赵善麒
申请人 ：
江苏宏微科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区华山中路18号
代理机构 ：
常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李珍
优先权 ：
CN201921470396.0
主分类号 ：
H01L23/492
IPC分类号 ：
H01L23/492 H01L23/498
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/492
基片或平板的
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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