垂直互连结构及其制造方法、封装芯片及芯片封装方法
实质审查的生效
摘要
本申请实施例公开了一种垂直互连结构及其制造方法、封装芯片及芯片封装方法，属于芯片封装技术领域。该方法包括先在基板的第一表面形成导电柱，再在所述第一表面形成第一绝缘支撑层，所述导电柱位于所述第一绝缘支撑层内，所述导电柱远离所述基板的上表面不被所述第一绝缘支撑层覆盖；最后再去除所述基板，所述第一绝缘支撑层由非晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氮化硼、二氧化硅、氮化铝、金刚石中的至少一种材料形成。通过先在基板上形成导电柱，然后再形成包裹住导电柱的第一绝缘支撑层，从而不需要通过刻蚀或激光烧蚀等工艺在第一绝缘支撑层上制作容纳导电柱的通孔，避免了刻蚀和激光烧蚀等工艺产生的不良影响。
基本信息
专利标题 ：
垂直互连结构及其制造方法、封装芯片及芯片封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334876A
申请号 ：
CN202011455250.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏潇赟杨勇邓抄军
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李芳
优先权 ：
CN202011455250.6
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/48 H01L21/56 H01L23/31 H01L23/498 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20201210
申请日 : 20201210
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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