芯片结构及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种芯片结构及制造方法，其特征在于此芯片结构具有第一保护层以及第二保护层，而第一保护层覆盖于芯片的基材上，且暴露出每一个焊垫及部分基材表面。此外，第二保护层覆盖于第一保护层上，且第一保护层的侧壁以及未被第一保护层所覆盖的基材表面亦被第二保护层所覆盖，以阻隔湿气由基材边缘渗透，故能提高芯片结构的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
芯片结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941342A
申请号 ：
CN200510105921.5
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡孟锦罗健文傅绍文王启宇
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省高雄市楠梓加工出口区经三路26号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
王永红
优先权 ：
CN200510105921.5
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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